авторефераты диссертаций БЕСПЛАТНАЯ  БИБЛИОТЕКА

АВТОРЕФЕРАТЫ КАНДИДАТСКИХ, ДОКТОРСКИХ ДИССЕРТАЦИЙ

<< ГЛАВНАЯ
АГРОИНЖЕНЕРИЯ
АСТРОНОМИЯ
БЕЗОПАСНОСТЬ
БИОЛОГИЯ
ЗЕМЛЯ
ИНФОРМАТИКА
ИСКУССТВОВЕДЕНИЕ
ИСТОРИЯ
КУЛЬТУРОЛОГИЯ
МАШИНОСТРОЕНИЕ
МЕДИЦИНА
МЕТАЛЛУРГИЯ
МЕХАНИКА
ПЕДАГОГИКА
ПОЛИТИКА
ПРИБОРОСТРОЕНИЕ
ПРОДОВОЛЬСТВИЕ
ПСИХОЛОГИЯ
РАДИОТЕХНИКА
СЕЛЬСКОЕ ХОЗЯЙСТВО
СОЦИОЛОГИЯ
СТРОИТЕЛЬСТВО
ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
ТРАНСПОРТ
ФАРМАЦЕВТИКА
ФИЗИКА
ФИЗИОЛОГИЯ
ФИЛОЛОГИЯ
ФИЛОСОФИЯ
ХИМИЯ
ЭКОНОМИКА
ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
ЭНЕРГЕТИКА
ЮРИСПРУДЕНЦИЯ
ЯЗЫКОЗНАНИЕ
РАЗНОЕ
КОНТАКТЫ

Наносенсоры на основе полевых и одноэлектронных транзисторов

На правах рукописи

Амитонов Сергей Владимирович Наносенсоры на основе полевых и одноэлектронных транзисторов 01.04.04 – физическая электроника

Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Москва – 2013

Работа выполнена на кафедре Атомной физики, физики плазмы и микроэлектроники Физического факультета Федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего профессионального образования «Московский государственный университет имени M.В.Ломоносова».

Научный консультант:

к.ф-м.н. Крупенин Владимир Александрович

Официальные оппоненты:

д.ф.-м.н, чл.-корр. РАН Лукичев Владимир Федорович, заместитель директора по научной работе Федерального государственного бюджетного учреждения науки «Физико-технологический институт Российской академии наук», к.ф-м.н. Гудков Александр Львович, директор Федерального государственного унитарного предприятия «Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина»,

Ведущая организация:

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН».

Защита состоится «3» октября 2013 года в 17-30 на заседании диссертационного совета Д 501.001.66 при Московском государственном университете имени М.В.Ломоносова по адресу: 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2, Физический факультет МГУ, ауд. СФА.

С диссертацией можно ознакомиться в Научной библиотеке МГУ имени М.В.Ломоносова.

Автореферат разослан «29» августа 2013 года

Ученый секретарь диссертационного совета Д 501.001.66, к.ф.-м.н., И.Н.Карташов

Общая характеристика работы

Актуальность темы работы Совершенствование технологического процесса полупроводникового про­ изводства позволило в 2002 году перейти к 90 нм технологии производ­ ства, что, по определению, означает переход от микро- к нанотехнологиям.

Этот переход послужил катализатором дальнейшего роста интереса изучения свойств различных наноструктур размером от нескольких нанометров, кото­ рые с одной стороны слишком велики для описания их на уровне отдельных атомов, а с другой стороны достаточно малы, чтобы их свойства отличались от свойств массивного образца.

Одной из таких наноструктур является полупроводниковый нанопро­ вод (НП) — структура с поперечными размерами менее 100 нм, а продоль­ ными много больше поперечных. Кремниевые нанопровода оказались осо­ бенно интересным объектом для изучения, благодаря их потенциальной сов­ местимости со стандартной технологией полупроводникового производства.

На Рисунке 1 представлен самый показательный пример актуальности ра­ боты — рост числа публикаций с сочетанием «silicon nanowire» в названии в 1995–2011 гг. по данным базы «Web of Knowledge». За прошедшее де­ сятилетие было предложено множество оригинальных устройств на основе кремниевых НП для применений в различных областях науки и техники от нелинейной оптики до аккумуляторных батарей. Особняком в этом ряду сто­ ят зарядовые сенсоры и сенсоры электрического поля на основе НП — поле­ вые транзисторы, канал которого выполнен в форме НП (канал-нанопровод), которым посвящена данная работа.

Другим интересным примером наноразмерного полевого/зарядового сен­ сора является одноэлектронный транзистор, первый образец которого был создан более 25 лет назад, однако, и сегодня не потерявший своей акту­ альности благодаря тому, что именно он является наиболее чувствительным 700 Количество публикаций 6 11 Рис. 1. Количество публикаций с сочетанием в названии «silicon nanowire» в 1995–2011 гг.

(по данным базы «Web of Knowledge»).

электрометром, обладающим, к тому же, высоким пространственным разре­ шением. Интерес к данным устройствам снова вырос с переходом к изготов­ лению одноэлектронных транзисторов из кремния, что позволило добиться предельно малых размеров его элементов (10 нм) и, как результат, высо­ ких рабочих температур устройства, вплоть до комнатных, что привело к созданию в 2012 году одноатомного одноэлектронного транзистора1.

Как видно из Рисунка 2, демонстрирующего сравнение различных поле­ вых сенсоров в широком диапазоне температур, именно эти два устройства — Fuechsle M., Miwa J. A., Mahapatra S. et al. A single-atom transistor // Nature Nanotechnology. 2012.

Vol. 7, no 4. P. 242–246.

Зарядовая чувствительность (/ Гц) ОЭТ 105 ПТсНП ПТ НЭМ 103 102 101 100 101 102 Температура (К) Рис. 2. Сравнение предельных чувствительностей различных полевых/зарядовых сенсоров:

одноэлектронных (ОЭТ) и полевых транзисторов (ПТ), полевых транзисторов с каналом­ нанопроводом (ПТсНП), а также наноэлектромеханических устройств (НЭМ) — и их харак­ терных рабочих температур2.

одноэлектронный транзистор и полевой транзистор с каналом-нанопроводом — являются наиболее интересной основой для построения сверхчувствитель­ ных полевых/зарядовых сенсоров для широкого спектра применений.

Цель диссертационной работы состоит в разработке технологии из­ готовления из кремния на изоляторе (КНИ) высокочувствительных поле­ вых/зарядовых сенсоров на основе одноэлектронных транзисторов и полевых транзисторов с каналом-нанопроводом, измерении и исследовании электри­ ческих характеристик, анализе и физической интерпретации наблюдаемых свойств изготовленных экспериментальных структур.



на основе Salfi J., Savelyev I. G., Blumin M. et al. Direct observation of single-charge-detection capability of nanowire field-effect transistors // Nature Nanotechnology. 2010. — Sep. Vol. 5, no. 10. P. 737–741.

Научная новизна В диссертационной работе получены следующие новые результаты:

• впервые стандартными методами микроэлектроники изготовлен биосен­ сор на основе полевого транзистора с каналом-нанопроводом и барьера­ ми Шоттки, обладающий предельно возможной pH-чувствительностью, 60 мВ/pH;

• впервые изготовлен биосенсор на основе полевого транзистора с кана­ лом-нанопроводом и барьерами Шоттки для детектирования специфи­ ческой реакции моноклональных мышиных антител к трансферрину с белком G;

• разработан оригинальный метод изготовления полевого транзистора с омическими контактами к каналу-нанопроводу на основе неравномерно легированного КНИ;

• впервые подробно исследованы транспортные и шумовые характеристи­ ки одноэлектронных транзисторов из сильно легированного КНИ в диа­ пазоне температур 15 мК-4,2 К;

• впервые создан одноатомный одноэлектронный транзистор на основе единичных допантов мышьяка в кремнии.

Практическая значимость Результаты, изложенные в диссертации, могут быть использованы для создания на основе полевого транзистора с каналом-нанопроводом диагности­ ческой лаборатории на чипе для регистрации предельно низких концентра­ ций биологических объектов (белков, ДНК, вирусов). На основе разработан­ ных одноэлектронных и полевых транзисторов из КНИ могут быть созданы сверхчувствительные полевые/зарядовые сенсоры с нанометровым простран­ ственным разрешением для локальных и сканирующих зондовых устройств с широким спектром применения в науке, технике и медицине.

Апробация работы Основные результаты диссертации докладывались на следующих конфе­ ренциях:

1. 17th International Symposium «Nanostructures: Physics and Technology», Minsk, Belarus, 2009.

2. Конференция «Объединенный Дальневосточный научно-исследователь­ ский центр ДВФУ и ДВО РАН — ведущий научный интегратор внед­ рения инновационных методов исследований в биотехнологиях и нано­ технологиях», Владивосток, 2010.

3. 18th International Symposium «Nanostructures: Physics and Technology», Saint-Petersburg, 2010.

4. Конференция «Современные достижения бионаноскопии», Москва, 2010.

5. Конгресс «Медицинская физика – 2010», Москва, 2010.

6. Конференция «Современные достижения бионаноскопии», Москва, 2011.

7. Конференция «Фундаментальные и прикладные аспекты инновацион­ ных проектов и их защита в едином экономическом пространстве 2011», Москва, 2011.

8. Conference «Nano and Giga Challenges in Electronics, Photonics and Re newable Energy», Moscow, 2011.

9. Conference «The 6th General Meeting of ACCMS-VO», Tohoku, Japan, 2012.





10. Conference «Micro- and Nanoelectronics – 2012», Zvenigorod, 2012.

11. Conference «The 7th General Meeting of ACCMS-VO», Tohoku, Japan, 2012.

Публикации Материалы диссертации опубликованы в 20 печатных работах, из них статей в рецензируемых журналах, входящих в перечень ВАК РФ [1–7], статей в сборниках трудов конференций и тезисов докладов [8–20].

Личный вклад автора В диссертации приведены результаты, получен­ ные непосредственно автором или при его активном участии. Все экспери­ ментальные образцы наноструктур изготовлены автором лично. Совместно с соавторами автором разработана технология изготовления биосенсора на основе полевого транзистора с каналом-нанопроводом и барьерами Шоттки.

Совместно с соавторами проведены измерения электрических характеристик биосенсора и детектирования специфической реакции моноклональных мы­ шиных антител против трансферрина с белком G. Автором лично разрабо­ тан оригинальный метод изготовления полевого транзистора с омическими контактами к каналу-нанопроводу на основе неравномерно легированного кремния на изоляторе. Совместно с соавторами исследованы транспортные и шумовые характеристики сильно легированных кремниевых одноэлектрон­ ных транзисторов в диапазоне температур 15 мК-4,2 К. Совместно с соав­ торами автором создан одноэлектронный одноатомный транзистор на основе единичных атомов мышьяка в кремнии. Совместно с соавторами автор непо­ средственно участвовал в написании научных статей, а также подготовке и представлении докладов и постеров на научных конференциях.

Структура и объем диссертации Диссертация состоит из введения, 5 глав, заключения и библиографии.

Общий объем диссертации составляет 143 страницы, включая 64 рисунка.

Библиография включает 114 наименований.

Содержание работы Во Введении обоснована актуальность диссертационной работы, сфор­ мулирована цель и аргументирована научная новизна исследований, показана практическая значимость полученных результатов.

В первой главе на основе изучения данных научно-технической литера­ туры анализируется состояние исследований и разработок в области нанораз­ мерных полевых/зарядовых сенсоров, базирующихся на полевых и одноэлек­ тронных транзисторах. Анализ накопленного в этом направлении опыта поз­ волил сделать ряд выводов, определивших общее направление исследований, а также определить конкретные технологические методы экспериментального создания наноструктур, рассмотренных в данной работе:

• полевой транзистор на основе НП и одноэлектронный транзистор яв­ ляются наиболее чувствительными полевыми/зарядовыми сенсорами с пересекающимися диапазонами рабочих температур, охватывающими область от единиц миликельвин до 300 К;

• наиболее перспективным способом создания транзисторов являются тра­ диционные для микро- и наноэлектроники методы, такие как электрон­ ная и оптическая литографии, напыление тонких пленок, реактивное ионное и жидкостное травление, • для изготовления наноструктур, как наиболее технологичный, выбран материал «кремний на изоляторе» (КНИ), состоящий из тонкого, 100 нм, верхнего слоя кремния, отделённого от толстой подложки слоем SiO2 ;

• использование транзисторов в роли полевого/зарядового сенсора накла­ дывает требование прямого доступа к его чувствительному элементу, поэтому конструкция сенсора требует специальной разработки и суще­ ственно отличается от используемой в традиционной полупроводнико­ вой электронике.

Исток Ti электрод Si нанопровод Сток Ti электрод Рис. 3. Изображения изготовленной структуры транзистора и нанопровода.

Вторая глава посвящена созданию биохимического сенсора на основе кремниевого НП для проведения измерений в жидких проводящих средах (специальных солевых, буферных, растворах с различным уровнем кислот­ ности — pH). В первой части второй главы описан разработанный метод создания полевого транзистора с каналом-нанопроводом и металлическими (Ti) контактами к областям стока и истока, а также метод изоляции прово­ дящих электродов транзистора для проведения измерений в жидких средах (Рисунок 3). Метод состоит из последовательных процессов электронной ли­ тографии в слое резиста полиметилметакрилата (ПММА), формирующего рисунок канала транзистора и контактных площадок, напыления алюминия через созданную полимерную маску и её удаления в т.н. процессе «взрыва», переноса рисунка полученной алюминиевой маски в верхний слой пластины КНИ путём реактивного ионного травления, напыления подводящих Ti элек­ тродов, образующих барьер Шоттки к кремнию, и последующего напыления диэлектрического слоя SiO2 поверх Ti электродов. Использование металличе­ ских электродов позволяет значительно упростить изготовление транзисто­ ра и избежать трудоемких процессов легирования и термической активации примесей в случае формирования транзистора традиционными способами.

Такой транзистор, с длинным и узким каналом, функционирует анало­ гично обычному полевому транзистору (в роли затвора выступает нижний слой кремния пластины КНИ), однако малые поперечные размеры НП поз­ воляют значительно повысить чувствительность сенсора. Измерения вольт­ амперных характеристик (ВАХ) происходили в режиме задания напряжения между стоком и истоком транзистора и измерения тока через нанопровод при различных напряжениях на подложке-затворе транзистора. При измерении в жидкой среде, для управления током транзистора помимо затвора-подложки пластины КНИ, использовался электрод сравнения (ЭС), опущенный в рас­ твор. Электрод сравнения был изготовлен из серебряной проволоки, покрытой слоем хлорида серебра, и выполнял роль второго затвора транзистора.

Были изучены вопросы работы транзистора в зависимости от pH среды и её стабильности (ионной силы). Оценка чувствительности разработанного и изготовленного сенсора проведена путем измерения отклика транзистора на изменение pH, который достиг предельного теоретически возможного уровня 500380 мВ эс в 60 мВ/pH (Рисунок 4, = 60 мВ/). Тестирование про­ = цесса детектирования молекул в жидкости происходило методом сорбции на поверхности НП сильно заряженных молекул (полиэлектролитов) хлорида полидиметидиаллиламмония и полианетолсульфоната натрия. После смены раствора с полиэлектролитами на исходный буфер в обоих случаях исследу­ емые структуры транзисторов детектировали сигнал, соответствующий сор­ бировавшимся на поверхности молекулам. Проводимость канала изменялась (увеличивалась/уменьшалась) в соответствии со знаком заряда сорбировав­ шихся на его поверхности молекул. Таким образом, транзисторы демонстри­ ровали чувствительность к изменению поля, созданного заряженными моле­ кулами, расположенными на поверхности канала-нанопровода.

После модификации поверхности НП и привязки к ней органического комплекса на основе белка G, способного к биоспецифическому связыванию антиген-антитело с моноклональными мышиными антителами к трансферри­ pH pH 1, I (нА) Vэс =0,50 В 0, Vэс =0,38 В 0, 0, pH 6 pH 0, 2600 2800 3000 3200 3400 Время (с) Рис. 4. Отклик сенсора на изменение pH раствора при различных напряжениях на электроде сравнения, напряжение Vсток-исток =0,5 В, Vз =6 В.

ну, транзистор стал способен детектировать специфические взаимодействия на поверхности его канала. Химическая реакция связывания белков с антите­ лами приводила к изменению электрического поля вблизи НП, воздействию поля на канал транзистора, и, как результат, к изменению его транспортно­ го тока. Пример отклика на специфическое связывание приведен на Рисун­ ке 5. Для определения количества центров связывания на поверхности НП белковый комплекс был помечен золотыми наночастицами размером 5 нм, хорошо различимыми при исследовании поверхности при помощи растрового электронного микроскопа. Полученные изображения показывают, что отклик транзистора на пришивку антител обеспечивается всего несколькими сотня­ ми центров связывания (400 центров на 1 мкм2 поверхности), что позволяет говорить о высокой чувствительности полученного биосенсора, а способность безмаркерного детектирования открывает широкие возможности его приме­ нения.

Основные результаты второй главы опубликованы в работах [1–3, 7].

Специфическое связывание 0,07 Неспецифическое связывание 0, I (нА) 0, 0, 0, 0 300 600 900 1200 1500 1800 Время (с) Рис. 5. Отклик биосенсора на основе нанопровода (ширина НП – 85 нм) при наличии в растворе 5 мкг/мл специфических антител и 5 мкг/мл неспецифического белка бычьего сывороточного альбумина (БСА), напряжение Vсток-исток =0,5 В, Vз =6 В, pH 6, Vэс =0,4 В.

В третьей главе проведено исследование шумовых характеристик тран­ зисторов с барьерами Шоттки, аналогичных описанным во второй главе. При нормальных условиях изучались структуры с различной геометрией НП (пря­ мой и V-образной) и различными материалами подводящих электродов (Ti и Pt). Измерения происходили в режиме задания напряжения между стоком и истоком транзистора и измерения тока через нанопровод. Измерялись флук­ туации тока и анализировались соответствующие им спектральные плотности в диапазоне частот 0,2-100 Гц при более чем 400 различных значениях напря­ жений исток-сток (от -2 В до 6 В) и исток-затвор (от -1 В до 3 В). На основе измеренных данных предложен метод поиска оптимальной рабочей точки транзистора, заключающийся в поиске области с максимальным отношением крутизны сигнальной характеристики транзистора к плотности флуктуаций тока в единичной полосе. Для рабочей точки с максимальным значением дан­ ного отношения значение крутизны составило 1,2 нА/В, а плотность флукту­ аций тока — 0,3 пА/ Гц на частоте 10 Гц. Проведённый анализ подтвердил предположение о наличии рабочей точки в области малых напряжений — в подпороговом режиме работы транзистора, при несформировавшемся ка­ нале носителей заряда. На основании экспериментальных данных проведе­ на оценка характерной зарядовой чувствительности транзисторов, получены значения менее 1 /Гц на частоте 10 Гц при T=300 К.

В четвертой главе исследуются полевые транзисторы с каналом-нано­ проводом из неравномерно легированного КНИ. Для создания неравномерной по глубине концентрации допантов пластины КНИ подвергались бомбарди­ ровке пучком ионов As малой энергии (6 кэВ, процесс ионной имплантации) и быстрому термическому отжигу. В результате, приповерхностная часть верхнего слоя пластины ( 30 нм) имела степень легирования 1020 см3, что делало её вырожденным полупроводником с крайне малой запрещённой зоной («квазиметалл»). Нижняя часть слоя ( 50 нм) имела степень легиро­ вания менее 1018 см3 и являлась обычным полупроводником.

Предложен оригинальный метод изготовления транзисторов с каналом­ нанопроводом, заключающийся в формировании из полученного неравномер­ но легированного КНИ структуры транзистора, НП и проводящих электро­ дов, и избирательном удалении квазиметаллического слоя с чувствительного элемента транзистора — канала-нанопровода. Предложено два варианта уда­ ления высоколегированного слоя. В первом случае удаление приповерхност­ ного слоя происходило на этапе формирования НП в процессе изотропного реактивного ионного травления. Форма нанопровода и толщина удалённого слоя определялись размерами маски и регулировались параметрами травле­ ния. Во втором случае сначала в процессе анизотропного травления в нерав­ номерно легированном слое КНИ формировалась структура НП с подводящи­ ми электродами, а затем происходило последовательное избирательное удале­ ние верхнего слоя с нанопровода с промежуточным контролем проводимости структуры. Многостадийный процесс позволяет точнее контролировать сте­ пень легирования канала транзистора, а также упрощает изготовление НП с формой отличной от прямой, например, V-образной, что оказывается важным для изготовления локальных полевых зондов на их основе.

Измерены транспортные характеристики изготовленных транзисторов в диапазоне температур 4,2-300 К. Зависимость транспортного тока от напря­ жения на затворе наблюдается во всем температурном диапазоне. При из­ мерениях ВАХ в области малых напряжений сток-исток (10 мВ) при тем­ пературе T=4,2 К было обнаружено, что транспорт тока осуществляется в режиме одноэлектронного туннелирования с характерными участками куло­ новской блокады и квазипериодической зависимостью от затворного напря­ жения. Данный эффект объясняется туннельным транспортом электронов в неоднородном массиве, образованном единичными допантами.

Представленный метод изготовления наноструктур полевых транзисто­ ров с каналом-нанопроводом на основе неоднородно легированного КНИ от­ личается простотой и позволяет контролировать и изменять в процессе из­ готовления основной параметр устройства — проводимость канала транзи­ стора, а также обеспечивает омический контакт подводящих электродов из высоколегированного кремния к нанопроводу. Изготовленные предложенным методом транзисторы могут быть использованы в качестве чувствительного элемента полевых зондовых систем локального и сканирующего типов3,4.

Результаты четвертой главы опубликованы в работах [4, 6].

Пятая глава посвящена созданию и исследованию одноэлектронных транзисторов из сильно легированного мышьяком КНИ. Из вырожденного слоя КНИ при помощи электронной литографии и реактивного ионного трав­ ления формировалась структура будущего транзистора: остров, резистивные переходы к подводящим электродам и боковой затвор (Рисунок 6). Затем пу­ Yoo M.J., Fulton T.A., Hess H.F. et al. Scanning single-electron transistor microscopy: imaging individual charges // Science. 1997. Vol. 276, no. 5312. P. 579 –582.

Chen L.H., Topinka M A., LeRoy B.J. et al. Charge-imaging field-effect transistor // Applied Physics Letters. 2001. Vol. 79, no. 8. P. 1202.

Рис. 6. Протравленная структура одноэлектронного транзистора в кремнии.

тём итерационного дотравливания полученной структуры с промежуточным контролем её ВАХ, происходило утонение, тонких резистивных переходов.

При достижения условия сток-исток = 25, 8 кОм транзистор начи­ нал демонстрировать одноэлектронное поведение.

Основные исследования одноэлектронных структур проводились при тем­ пературах от 15 мК до 4,2 К (ВАХ представлены на Рисунке 7), когда появ­ лялись характерные особенности поведения одноэлектронных структур: Ку­ лоновская блокада транспортного тока и периодическая зависимость его ве­ личины от напряжения на затворе транзистора. Подробно была исследована зарядовая чувствительность транзистора, для этого при различных транс­ портных напряжениях были проведены измерения спектральной плотности флуктуаций тока в диапазоне частот 0,5-250 Гц на участке модуляционной кривой в 1,6 периода в 50 точках. Полученные данные позволяют говорить о зарядовой природе флуктуаций тока, обусловленной, поляризационным вли­ янием электродинамического окружения на остров транзистора, а также о том, что оптимальная рабочая точка транзистора находится в области с наи­ большей крутизной модуляционной характеристики. В этом случае порог за­ рядовой чувствительности минимален и достиг величины 1,6·104 / Гц на a) I (нА) Vз =0,72 В Vз =0,64 В Vз =0,56 В Vз =0,48 В Vз =0,40 В 10 5 0 5 Vсток-исток (мВ) б) 0, Vсток-исток =1,8 мВ Vсток-исток =1,4 мВ 0, Vсток-исток =1,0 мВ 0, I (нА) 0, 0, 0, 0 0,5 1 1,5 2 2, Vз (В) Рис. 7. а) ВАХ одноэлектронного транзистора при различных напряжениях на затворе;

б) модуляционные характеристики одноэлектронного транзистора при различных напряжениях смещения;

рабочая температура T=15 мК частоте 10 Гц при температуре 15 мК. Представленные в работе данные де­ монстрируют тенденцию плавного увеличения зарядового шума при увеличе­ нии транспортного тока, что является характерным для традиционных метал­ лических одноэлектронных транзисторов. В работе5 при исследовании подоб­ ных транзисторов на основе сильно легированного фосфором КНИ отмечено увеличение шума в областях максимума тока на модуляционной кривой по сравнению с традицирнными металлическими структурами, что объясняет­ ся повышенным уровнем флуктуаций проводимости резистивных переходов транзистора. Исследуемые в настоящей работе транзисторы демонстрируют существенно меньший уровень шума в областях максимума модуляционной кривой, что может быть связано с более высоким качеством процесса леги­ рования КНИ.

При используемых концентрациях допантов и характерных размерах изготавливаемых наноструктур х значительное влияние на свойства транзи­ стора начинает оказывать дискретность распределения примесей ( ·х 1).

Благодаря этому удалось изготовить и исследовать одноатомный одноэлек­ тронный транзистор — устройство на основе единичного допанта (диаграмма стабильности представлена на Рисунке 8). Доказательством этого факта слу­ жат ступени на ВАХ, свидетельствующие о дискретности спектра, и высокое блокадное напряжение 70 мВ, нехарактерное для традиционных одноэлек­ тронных транзисторов, указывающие на малость размеров острова (7 нм).

Наиболее вероятно, что островом транзистора является одиночный атом мы­ шьяка. Кроме того, результаты измерений совпадают с данными по спектро­ скопии одиночных допантов в кремнии, представленными в других работах6.

Транзисторы данного типа могут стать ячейкой твердотельной электроники нового поколения, работающей на иных физических принципах, способных Крупенин В.А., Преснов Д.Е., Власенко B.C. Зарядовый шум в одноэлектронном транзисторе из высо­ кодопированного кремния-на-изоляторе // Радиотехника. 2008. Vol. 1, no. 1. P. 78–83.

Pierre M., Wacquez R., Jehl X. et al. Single-donor ionization energies in a nanoscale CMOS channel // Nature Nanotechnology. 2010. Vol. 5, no 2. P. 133–137.

|G| (2 /) Vсток-исток (мВ) 20 25 30 35 40 45 50 Vз (В) Рис. 8. Диаграмма стабильности одноатомного транзистора.

обеспечить её работоспособность в условиях приближения технологического процесса микропроизводства к естественному пределу (атомарный размер).

Основные результаты пятой главы опубликованы в работе [5].

В Заключении перечислены выносимые на защиту основные результаты и положения, которые также перечислены ниже:

• Разработан метод изготовления из кремния на изоляторе биосенсора на основе полевого транзистора с каналом в форме нанопровода шириной менее 100 нм. Создан биосенсор на основе полевого транзистора с кана­ лом-нанопроводом, обладающий pH-чувствительностью близкой к пре­ дельной, 60 мВ/pH. Продемонстрировано детектирование биосенсором специфической реакции антиген (белок G) - антитело (моноклональные мышиные антитела к трансферрину).

• Изготовлены полевые транзисторы с металлическими (Ti и Pt) кон­ тактами к каналу-нанопроводу (диаметр 100 нм, длина 2 мкм). Ис­ следованы их шумовые характеристики в диапазоне частот 0,2–100 Гц (Т=300 К). Получена оценка пороговой зарядовой чувствительности транзистора лучше, чем 1 e/ Гц на частоте 10 Гц.

• Разработан метод изготовления полевого транзистора с омическими контактами к каналу-нанопроводу из неравномерно легированного мы­ шьяком кремния на изоляторе, работающий в диапазоне температур 4,2-300 К.

• Изготовлены одноэлектронные транзисторы из сильно легированного мышьяком кремния на изоляторе. Впервые подробно исследованы их транспортные и шумовые характеристики в диапазоне температур от 15 мК до 4,2 К. Порог зарядовой чувствительности транзистора соста­ вил 1,6·104 e/ Гц на частоте 10 Гц при T=15 мК. Впервые создан од­ ноатомный одноэлектронный транзистор на основе единичных допантов мышьяка в кремнии и исследованы его транспортные характеристики при Т=4,2 К.

Исследования, проведённые в данной работе, на взгляд автора, лежат в основе практического применения высокочувствительных полевых сенсоров, которое может начать лавинообразное развитие в ближайшее десятилетие.

Использование полевых транзисторов с каналом-нанопроводом в роли биосенсоров, по сути, ограничивается лишь отсутствием успехов в смежных областях, в первую очередь, биохимии. Использование их как локальных по­ лечувствительных зондов сдерживается на данный момент лишь отсутствием демонстрации работы данного устройств на их основе.

Использование одноэлектронных транзисторов ограничивается их рабо­ чей температурой, поэтому создание транзистора на отдельных атомах может открыть новые перспективы перед одноэлектроникой в целом.

Список публикаций 1. Крупенин В. А., Преснов Д. Е., Власенко В. С., Амитонов С. В. Полевой транзистор на основе кремниевого нанопровода // Радиотехника. 2009.

№ 3. С. 104–107.

2. Преснов Д. Е., Амитонов С. В., Крупенин В. А. Полевой транзистор с каналом-нанопроводом – основа молекулярного биосенсора // Радиотех­ ника. 2012. № 9. С. 122–126.

3. Преснов Д. Е., Амитонов С. В., Крупенин В. А. Полевой транзистор с каналом-нанопроводом на основе кремния на изоляторе // Микроэлек­ троника. 2012. Т. 41, № 5. С. 364–367.

4. Амитонов С. В., Преснов Д. Е., Рудаков В. И., Крупенин В. А. Полевой транзистор с каналом-нанопроводом на основе неравномерно легирован­ ного КНИ // Микроэлектроника. 2013. Т. 42, № 3. С. 200–205.

5. Преснов Д. Е., Амитонов С. В., Крупенин В. А. Одноэлектронный тран­ зистор из высоколегированного кремния на изоляторе. // Радиотехника.

Принято к публикации.

6. Амитонов С. В., Преснов Д. Е., Крупенин В. А. Кремниевый транзи­ стор с каналом-нанопроводом из неравномерно легированного кремния на изоляторе. // Радиотехника. 2013. № 5. С. 30–34.

7. Presnov D. E., Amitonov S. V., Krutitskii P. A. et al. A highly pH-sensitive nanowire field-effect transistor based on silicon on insulator // Beilstein Journal of Nanotechnology. 2013. — May. Vol. 4. P. 330–335.

8. Krupenin V., Presnov D., Vlasenko V., Amitonov S. Silicon nanowire field effect transistor as a core element for the bio- and chemical femtomolar sensors // Abstracts of Invited Lectures and Contributed Papers of 17th Int. Symposium - Nanostructures: Physics and Technology. Ioffe Minsk, Belarus, 22-26 June, 2009. P. 276–277.

9. Krupenin V., Presnov D., Amitonov S. et al. Nanowire transistor as high sensitive bio- and chemical sensor // Abstracts of Invited Lectures and Con­ tributed Papers of 18th Int. Symposium - Nanostructures: Physics and Tech­ nology. Ioffe Institute St.Petersburg, Russia, 21-26 June, 2010. P. 363–364.

10. Крупенин В. А., Преснов Д. Е., Амитонов С. В. et al. Транзистор с кремниевым нанопроводом в качестве высокочувствительного химического и биосенсора // Тезисы III Евразийского конгресса по медицинской физике и инженерии «Медицинская физика – 2010». Vol. 3.

2010. P. 257–259.

11. Крупенин В. А., Преснов Д. Е., Амитонов С. В., Ушакова Ю. С.

Зарядовый сенсор на основе кремниевого нанопровода // Тезисы Четвертой международной конференции "Современные достижения бионаноскопии". 2010. P. 38.

12. Преснов Д. Е., Крупенин В. А., Амитонов С. В. et al. Биосенсор на основе кремниевого нанопровода // Тезисы III Международной конференции "Объединенный Дальневосточный научно-исследовательский центр ДВФУ и ДВО РАН - ведущий научный интегратор внедрения инновационных методов исследований в биотехнологиях и нанотехнологиях. 2010.

13. Krupenin V., Presnov D., Amitonov S. Suspended silicon nanowire transistor as high sensitive charge sensor // Abstracts of Int. Symposium - Nano and Giga Challenges in Electronics, Photonics and Renewable Energy. Moscow - Zelenograd, Russia, 12-16 September, 2011. P. 32.

14. Крупенин В. А., Преснов Д. Е., Курочкин И. Н. et al. Зарядовый сенсор на основе подвешенного кремниевого нанопровода // Тезисы Пятой международной конференции "Современные достижения бионаноскопии".

2011. P. 9–10.

15. Крупенин В. А., Преснов Д. Е., Амитонов С. В. et al.

Высокочувствительный биосенсор на основе подвешенного кремниевого нанопровода // Сборник трудов научно-практической конференции «Фундаментальные и прикладные аспекты инновационных проектов Физического факультета МГУ». 2011.

16. Krupenin V., Presnov D., Amitonov S. et al. Silicon single-electron tran­ sistor with suspended island // Abstr. of The Seventh General Meeting of ACCMS-VO (Asian Consortium on Computational Material Science - Virtu­ al Organisation). IMR, Tohoku University, Sendai and Matsushima, Japan, 23-25 November, 2012. P. PS–33.

17. Amitonov S., Presnov D., Rudenko K. et al. Silicon nanowire field effect transistor with highly doped leads // International Conference Micro and Nanoelectronics - 2012. Abstr. Book. Moscow-Zvenigorod, Russia, 1-5 October, 2012. P. O3–02.

18. Soloviev I., Devyatov I., Krutitskiy P. et al. Experimental and theoretical study of nanowire FET based on SOI // International Conference Micro and Nanoelectronics - 2012. Abstr. Book. Moscow-Zvenigorod, Russia, 1-5 October, 2012. P. P1–41.

19. Krupenin V., Presnov D., Amitonov S., Nejo H. Suspended silicon nanowire transistor high sensitive charge sensor // Abstr. of The Sixth General Meet­ ing of ACCMS-VO (Asian Consortium on Computational Material Science - Virtual Organisation). IMR, Tohoku University, Sendai and Matsushima, Japan, 10-12 February, 2012. P. PS–9.

20. Krupenin V., Presnov D., Amitonov S. et al. Suspended silicon single-elec­ tron transistor // International Conference Micro- and Nanoelectronics - 2012. Abstr. Book. Moscow-Zvenigorod, Russia, 1-5 October, 2012.

P. P1–39.

Подписано в печать 26.08.2013 г.

Усл.п.л. – 1,25. Тираж 125 экз.



 

Похожие работы:





 
2013 www.netess.ru - «Бесплатная библиотека авторефератов кандидатских и докторских диссертаций»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.